| 1 | 65.03 |
| 1 - 99 | 64.82 |
| 100 - 249 | 53.9 |
| 250+ | 45.99 |
Купить M24256-BWMN6P
Минимальная партия для заказа 1 шт.
(форма запроса)
|
Радиодетали и электронные компоненты с гарантией!
STMicroelectronics |
STMicroelectronics, M24256-BWMN6P Полупроводники
Вы можете купить M24256-BWMN6P Полупроводники, EEPROM SERIAL 256K, SMD, SO-8-8 PKG
производства от 1 шт, либо заказать минимальную партию от 1 шт со сроком поставки 4 недели.
На электронные компоненты компании STMicroelectronics распространяется гарантия производителя.
Аналогичные товары:DS1230AB-100+ / Dallas Semiconductor / Nonvolatile SRAM; 256 K Nonvolatile SRAM; 100 ns; 5.0 V (Typ.); 85 mA (Max.)DS1225Y-200+ / Dallas Semiconductor / SRAM, Nonvolatile, 2k x 8, 200 nS, DIP28 DS1230Y-200+ / Dallas Semiconductor / MEMORY; 256K NONVOLATILE SRAM; 200 NS; 5 V (MAX.); 85 MA (MAX.); 200 NS; 200 NS DS1220Y-100+ / Dallas Semiconductor / SRAM, Nonvolatile, 2Kx8, 100 nS, DIP24 DS1225AD-150IND+ / Dallas Semiconductor / SRAM, Nonvolatile, 8k x 8, 150 nS, -40 to 85 C, DIP28 DS1243Y-120+ / Dallas Semiconductor / SRAM, Nonvolatile; 28 Pins; 5 V (Typ.)Supply; 5 pF (Typ.) Load; 2 mA (Min.) DS1230Y-120+ / Dallas Semiconductor / MEMORY; 256K NONVOLATILE SRAM; 120 NS; 5 V (MAX.); 85 MA (MAX.); 120 NS; 120 NS DS1244Y-70+ / Dallas Semiconductor / SRAM, Nonvolatile, 32K x 8, 70 nS, EDIP28 DS1230Y-150+ / Dallas Semiconductor / MEMORY; 256K NONVOLATILE SRAM; 150 NS; 5 V (MAX.); 85 MA (MAX.); 150 NS; 150 NS DS1220Y-200IND+ / Dallas Semiconductor / Memory; 16k Nonvolatile SRAM; 200 ns; 5 V (Typ.); 85 mA; 200 ns; 200 ns; 1.5 V |
